Samsung Electronics объявила о планах строительства второго завода по производству полупроводников в Тейлоре, штат Техас. Новый завод будет использовать передовую 2-нм технологию для производства базовых кристаллов памяти HBM, предназначенных для таких компаний, как AMD и Nvidia. Строительство начнется в ноябре 2026 года, установка оборудования запланирована на февраль 2029 года, а массовое производство ожидается в 2030 году.

Расширение производства Samsung в Техасе может значительно укрепить позиции компании на рынке полупроводников, особенно в сегменте высокоскоростной памяти. Партнерство с такими крупными игроками, как AMD и Nvidia, может привести к увеличению заказов и повышению конкурентоспособности Samsung по сравнению с TSMC, одним из ведущих производителей полупроводников в мире.

Первый завод Samsung в Тейлоре был анонсирован в ноябре 2021 года с инвестициями в размере 17 миллиардов долларов США. В апреле 2024 года компания получила до 6,4 миллиарда долларов США прямого финансирования в рамках Закона CHIPS и науки, что также поддерживает её амбиции в области полупроводников. Однако планы могут быть подвержены изменениям в зависимости от рыночных условий и технологических достижений, а конкуренция со стороны других производителей может повлиять на эффективность реализации проекта.

Для более подробной информации о расширении производства Samsung в Техасе, вы можете ознакомиться с нашим обзором: Samsung расширяет производство полупроводников в Техасе.

По материалам: Investing.com